Проблема состоит в следующем. Были пробиты IGBT транзисторы HGTG30N60A4 про схеме Q5, Q8 и так же был в обрыве резистор R4 перед диодным мостом. Транзисторы были заменены на HGTG30N60A4D (с защитным диодом), резистор тоже был заменен, шим 3845 и операционик 324. Так же была проверена обвязка в затворных цепях IGBT. Первое включение было произведено через лампу накаливания мощностью 100 вт. Преобразователь запустился. Затем убрал лампу, примерно через 15 секунд всё вышебло и один из защиный диодов US1J разорвало. Нигде ничего не которотило всё было тщательно проверено. Что может быть за причина? Подскажите
