Подобрать мосфеты.

JohnK
15/10/2024 08:08
Есть мосфеты 73T02GH и 72T02GH нужно подобрать что нибудь на ток ближе к 100А и более 100А соответственно по возможности на такое же напряжение как у этих.

n max
15/10/2024 18:11
2sk3919 стаил в кит материнки с 2011 сокет потели меньше.Правда их проблема не фуфельные найти.Снятие с трупиков если только

JohnK
15/10/2024 19:22
n max, Спасибо, попробую.

Витькан
15/10/2024 20:09
JohnK писал:
Есть мосфеты 73T02GH и 72T02GH нужно подобрать что нибудь на ток ближе к 100А и более 100А соответственно по возможности на такое же напряжение как у этих.


Ну для начала надо разобраться, а какими характеристиками обладают исходные транзисторы:
73T02GH
Предельное напряжение сток-исток, Vds = 25V.
Ток стока при 100 градусах, Idrain100 = 40A.
Сопротивление открытого канала, RdsON = 9 mOhm.
Суммарный заряд затвора, Qtot = 22nC.

72T02GH
Предельное напряжение сток-исток, Vds = 25V.
Ток стока при 100 градусах, Idrain100 = 44A.
Сопротивление открытого канала, RdsON = 9 mOhm.
Суммарный заряд затвора, Qtot = 21nC.

n max писал:
2sk3919 стаил в кит материнки с 2011 сокет потели меньше.Правда их проблема не фуфельные найти.Снятие с трупиков если только

А теперь рассмотрим характеристики транзистора 2sk3919, который предлагает n max. Кстати, 2sk3919 успешно бахнули в материнке LGA1156 GA-H55M-S2H, там они широко использовались в составе преобразователя питания процессора и его модулей (контроллер памяти и гпу). Бахнули сами транзисторы, а также за собой забрали и драйвера и часть медных площадок на плате...

И так, 2sk3919
Предельное напряжение сток-исток, Vds = 25V.
Ток стока при 100 градусах, Idrain100 = нет данных.
Сопротивление открытого канала, RdsON = 5.6 mOhm.
Суммарный заряд затвора, Qtot = 42nC.

Замена сомнительная. Так как нет ясности, сможет ли драйвер управлять данным транзистором. Дело в том, что суммарный заряд затвора больше в 2 раза. А значит увеличивается нагрузка на драйвер, а также увеличивается время нарастания и спада напряжения на затворе, что ведет к росту потерь на самом транзисторе.
JohnK, поэтому, рекомендую при подборе аналогов обращать не только на Предельное напряжение сток-исток, Ток стока при 100 градусах, Сопротивление открытого канала, но также и на Суммарный заряд затвора.

Много лет назад, вместо 2sk3919, мною были установлены транзисторы 4858NG и D452, которые обладают следующими характеристиками:

4858NG (верхний ключ)
Предельное напряжение сток-исток, Vds = 25V.
Ток стока при 100 градусах, Idrain100 = 42A.
Сопротивление открытого канала, RdsON = 6 mOhm.
Суммарный заряд затвора, Qtot = 26-35nC.

D452 (нижний ключ)
Предельное напряжение сток-исток, Vds = 25V.
Ток стока при 100 градусах, Idrain100 = 43A.
Сопротивление открытого канала, RdsON = 6.5-8.5 mOhm.
Суммарный заряд затвора, Qtot = 26-32nC.

Также, напомню, что в транзисторном полумосте, нижние ключи включаются параллельно, это связано с тем, что большую часть времени (90% от периода), они находятся открытыми. А верхний ключ работает в импульсном режиме (кратковременно). То есть нижний ключ (или сборка) должна обладать более лучшими характеристиками, по сравнению с верхним ключом.

Все работает (пылится под столом), по сей в день. Транзисторы были сняты с какой-то мат. платы. Более близкого аналога, много лет назад не нашел...
Удачи!

n max
15/10/2024 21:21
Драйвер кушал 80мА ну будет кушать 110 ну ему точно не поплохеет.Эти просто найти проще-в брендовых материнках и видюхах встречаются.

Витькан
15/10/2024 21:45
n max писал:
Драйвер кушал 80мА ну будет кушать 110 ну ему точно не поплохеет.


n max, это при условии, что изначально драйвер не был перегружен, и его не подогревают рядом расположенные транзисторы, дроссели...
Тут ведь как получается. У исходного транзистора Qtot=22nC. А у 2sk3919 Qtot=42nC.
Допустим, напряжение на затворе транзистора из нуля до 10-12В поднимается, за примерно, 100nS. Вспоминаем формулу: I=Q/T (I-ток, Q-заряд, T-время)
Получим, что для Qtot=22nC и T=100nS, I=220mA,
а для Qtot=42nC и T=100nS, I=420mA.
Таким образом, происходит удвоение тока, который должен отдавать драйвер, или же происходит увеличение времени нарастания и спада напряжения на затворе, что как известно, влияет на потери на мосфете...
То есть увеличение Qtot, по сравнение с исходным транзистором - плохо и так и этак... Все характеристики должны быть очень близкими...

n max писал:
Эти просто найти проще-в брендовых материнках и видюхах встречаются.

В моем случае, на брендированной плате, они как раз таки и бахнули (GA-H55M-S2H). Но тут вопрос насколько хорошо был спроектирован преобразователь процессора.

n max
15/10/2024 23:46
Если транзистор поболее ампер пропускает то соотв надо помощней в затвор заряд затолкать что б тот открылся.
Даже если поставить два менее мощных в параллель то то на то и выйдет со стороны драйвера.Тут физику не обманешь.
Ну есть же всякие повторители для драйверов,которые разгружают выход драйвера-поле для деятельности есть.
Есть помощнее транзюки только уже в другом корпусе будут соотв в материнку не зайдут

Витькан
16/10/2024 02:23
n max писал:
Если транзистор поболее ампер пропускает то соотв надо помощней в затвор заряд затолкать что б тот открылся.

Вот об этом и речь...

n max писал:
Даже если поставить два менее мощных в параллель то то на то и выйдет со стороны драйвера.Тут физику не обманешь.

Да да, при параллельной схеме - нагрузка на драйвер удваивается...
n max писал:
Ну есть же всякие повторители для драйверов,которые разгружают выход драйвера-поле для деятельности есть. Есть помощнее транзюки только уже в другом корпусе будут соотв в материнку не зайдут

А в этом и суть... Что, каким образом построен DC-DC преобразователь с исходными транзисторами - неизвестно. Поэтому и нельзя ставить транзисторы, у которых заряд затвора больше в 2 раза, по сравнению с исходными...

liveinternet.ru RadioTOP Rambler's Top100 –ейтинг@Mail.ru