Куплю срочно транзисторы. | |
|---|---|
| Александр Бурков 17/06/2014 12:34 |
Нужны два транзистора:
RJP63K2DPP-M0 Silicon N Channel IGBT Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching: tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current: ICES = 1 A max Isolated package TO-220FL или RJP63F3DPP-M0 Silicon N Channel IGBT • Trench gate and thin wafer technology (G6H series) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ • High speed switching tf = 100 ns typ • Low leak current ICES = 1 μA max • Isolated package TO-220FL Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Ratings Unit Collector to emitter voltage VCES 630 V Gate to emitter voltage VGES ±30 V Collector current IC 35 A Collector peak current ic(peak) Note1 200 A Collector dissipation PC Note2 25 W Junction to case thermal impedance j-c 5 °C/W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg –55 to +150 °C Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1% 2. Tc = 25C Живу в городе Нижнекамск респ. Татарстан |
| Александр Бурков 17/06/2014 18:26 |
Жду ещё предложений ! |
| Александр Бурков 19/06/2014 15:24 |
Ребят, помогите пожалуйста, очень нужно !!!  |
| Telik 19/06/2014 22:05 |
Гляньте тут:
http://www.kimkit.ru/search/ Покупал там не раз, магазин надежный... |
| Александр Бурков 19/06/2014 23:10 |
Огромнейшее спасибо, сегодня всё заказал, буду ждать ! |
